参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD60R600E6ATMA1
说明	通用MOSFET   TO-252 PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1
最小包	2500
现货	713 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	7.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	20.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	440pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	63W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 毫欧 @ 2.4A,10V
封装/外壳	TO-252
封装/外壳	PG-TO252-3