参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD60R520C6
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
现货	176 [库存更新时间：1970-01-01]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	23.4nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	66W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	CoolMOSC6
宽度	6.22mm
下降时间	14ns
上升时间	10ns
典型关闭延迟时间	85ns
典型接通延迟时间	13ns
Moisture Level	1 Ohms
Rds On(Max)@Id,Vgs	520mΩ
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	8.1A
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Rth	1.9K/W
QG	23.4nC
Budgetary Price €€/1k	0.43
Ptot max	66.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	3.0Pins
RthJA max	62.0K/W
Mounting	SMT
栅极电压Vgs	2.5V,3.5V
工作温度	-55°C~150°C