参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD50R800CE
说明	功率MOSFET   6.5mm DPAK(TO-252)
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5287 [库存更新时间：2025-04-08]
通道数量	1Channel
Qg-栅极电荷	12.4nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	60W
高度	2.3mm
长度	6.5mm
系列	XPD50R800
宽度	6.22mm
下降时间	15.9ns
上升时间	5.5ns
典型关闭延迟时间	26ns
典型接通延迟时间	6.2ns
Moisture Level	3
Rds On(Max)@Id,Vgs	800mΩ
漏源极电压Vds	500V
连续漏极电流Id	5A
封装/外壳	DPAK (TO-252)
Rth	3.15K/W
QG	12.4nC
Budgetary Price €€/1k	0.19
Ptot max	40.0W
FET类型	N-Channel
Pin Count	3.0Pins
RthJA max	62.0K/W
Mounting	SMT
栅极电压Vgs	2.5V,3.5V
工作温度	-55°C~150°C