参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPD50P04P4L-11
说明	功率MOSFET   PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	324 [库存更新时间：2025-04-02]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3900pF @ 25V
栅极电压Vgs	±16V
Pd-功率耗散(Max)	58W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	10.6mΩ@50A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	59nC @ 10V