参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD400N06NGBTMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 PG-TO252-3
起订量	2
最小包	2
现货	413 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	27A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 28µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	17nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	650pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	30V
Pd-功率耗散(Max)	68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	40 毫欧 @ 27A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	PG-TO252-3