参数	值
产品	未分类
型号编码	IPD30N06S223ATMA1
说明	未分类   PG-TO252-3 TO-252-3 DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.41mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	30A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	32nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	901pF @ 25V
功率	100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 毫欧 @ 21A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	30 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	100W
典型接通延迟时间	10 ns
典型关断延迟时间	24 ns
漏源极电压Vds	901 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	OptiMOS
宽度	6.22mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
高度	2.41mm
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm
每片芯片元件数目	1 Ohms