参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD135N03LGBTMA1
说明	通用MOSFET   DPAK(TO-252) 6.73mm 6.73x6.22x2.41mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	30 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	25 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
Pd-功率耗散(Max)	31W
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	770 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	12 ns
典型接通延迟时间	3 ns
系列	OptiMOS 3
每片芯片元件数目	1 Ohms
最低工作温度	-55 °C
宽度	6.22mm
最高工作温度	+175 °C
长度	6.73mm
高度	2.41mm
封装/外壳	6.73 x 6.22 x 2.41mm