参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPD048N06L3GBTMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO252-3 DPAK PG-TO252-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	194 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	OptiMOS™
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	90A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 58µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	50nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	8400pF @ 30V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	115W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4.8m Ohms@90A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-3
封装/外壳	DPAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	90A
漏源极电压Vds	60V
封装/外壳	PG-TO252-3