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    IPB80N06S2H5ATMA1

    品牌:Infineon(英飞凌)

    产品:未分类

    库存:635 Pcs [库存更新时间:2025-04-07]

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    产品概述
    参数
    产品未分类
    型号编码IPB80N06S2H5ATMA1
    说明未分类   PG-TO263-3-2 TO-263-3 D2PAK(TO-263) 10x9.25x4.4mm 10mm
    品牌Infineon(英飞凌)
    起订量0
    最小包0
    现货635 [库存更新时间:2025-04-07]
    FET类型N-Channel
    漏源极电压Vds55V
    连续漏极电流Id80A(Tc)
    驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 230µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)155nC @ 10V
    栅极电压Vgs±20V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4400pF @ 25V
    功率300W(Tc)
    Rds On(Max)@Id,Vgs5.2 毫欧 @ 80A,10V
    工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
    封装/外壳PG-TO263-3-2
    封装/外壳TO-263-3
    FET类型N-Channel
    连续漏极电流Id80 A
    漏源极电压Vds55 V
    Rds On(Max)@Id,Vgs0.0055 0hms
    栅极电压Vgs4V
    最小栅阈值电压2.1V
    栅极电压Vgs-20 V、+20 V
    封装/外壳D2PAK (TO-263)
    引脚数目3
    晶体管配置
    FET类型增强
    类别功率 MOSFET
    功率300W
    高度4.4mm
    每片芯片元件数目1 Ohms
    封装/外壳10 x 9.25 x 4.4mm
    宽度9.25mm
    系列OptiMOS
    晶体管材料Si
    漏源极电压Vds4400 pF @ 25 V
    典型关断延迟时间48 ns
    典型接通延迟时间23 ns
    最低工作温度-55 °C
    最高工作温度+175 °C
    长度10mm

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