参数	值
产品	未分类
型号编码	IPB80N06S209ATMA1
说明	未分类   PG-TO263-3-2 TO-263-3 D2PAK(TO-263) 10mm 10x9.25x4.4mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	80A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 125µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	80nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2360pF @ 25V
功率	190W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.8 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	TO-263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	80 A
漏源极电压Vds	55 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0091 0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2.1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	190 W
典型接通延迟时间	14 ns
典型关断延迟时间	39 ns
漏源极电压Vds	2360 pF @ 25 V
晶体管材料	Si
系列	OptiMOS
宽度	9.25mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10mm
高度	4.4mm
封装/外壳	10 x 9.25 x 4.4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms