参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPB65R110CFD
说明	功率MOSFET   10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2287 [库存更新时间：2025-04-08]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3240pF @ 100V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	650V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 1.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	118nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	31.2A
Rds On(Max)@Id,Vgs	99mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	118nC
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	277.8W
高度	4.4mm
长度	10mm
系列	CoolMOSCFD2
FET类型	N-Channel
宽度	9.25mm
下降时间	6ns
上升时间	11ns
典型关闭延迟时间	68ns
典型接通延迟时间	16ns