参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IPB65R045C7 |
说明 | 功率MOSFET 10mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 1000 |
最小包 | 1000 |
现货 | 2287 [库存更新时间:2025-04-04] |
227 W | Pd - 功率消耗 |
93 nC | Qg - 闸极充电 |
公司名称 | CoolMOS |
标准包装数量 | 1000 |
标准断开延迟时间 | 82 ns |
系列 | IPB65R045 |
配置 | Single |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 7 ns |
通道数量 | 1Channel |
漏源极电压Vds | 650V |
连续漏极电流Id | 46A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 40mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 93nC |
Pd-功率耗散(Max) | 227W |
高度 | 4.4mm |
长度 | 10mm |
FET类型 | N-Channel |
宽度 | 9.25mm |
典型关闭延迟时间 | 82ns |
典型接通延迟时间 | 20ns |
工作温度 | -55°C~150°C |