参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB60R385CPATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3-2 PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31x9.45x4.57mm 10.31mm
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-11-18]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	9A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	790pF @ 100V
Pd-功率耗散(Max)	83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	385 毫欧 @ 5.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	PG-TO263-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.38 0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	83W
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
系列	CoolMOS CP
高度	4.57mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	790 pF @ 100 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	10 ns
宽度	9.45mm
长度	10.31mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C