参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB123N10N3GATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x9.45x4.57mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	291 [库存更新时间：2024-06-06]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	100V
连续漏极电流Id	58A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2500pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max)	94W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	12.3 毫欧 @ 46A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	50V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	58 A
漏源极电压Vds	100 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	23.5 m0hms
栅极电压Vgs	3.5V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	94W
典型接通延迟时间	14 ns
典型关断延迟时间	24 ns
漏源极电压Vds	1880 pF @ 50 V
晶体管材料	Si
最高工作温度	+175 °C
高度	4.57mm
系列	OptiMOS 3
宽度	9.45mm
最低工作温度	-55 °C
长度	10.31mm
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
每片芯片元件数目	1 Ohms