产品 |
型号 |
品牌 |
参数 |
RF二极管 |
BAS7004E6433HTMA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAT1502LRHE6327XTSA1 |
|
不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 单 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SOD-882 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:110mA |
RF二极管 |
BAR9002ELE6327XTMA1 |
|
不同 If、F时电阻:800 毫欧 @ 10mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 1V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:0402 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):80V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAR6402ELE6327XTMA1 |
|
不同 If、F时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 20V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:0402 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):150V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAS3010S02LRHE6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):650mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:300uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:15pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SOD-882 工作温度-结:-55°C ~ 150°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS16E6433HTMA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS16UE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-74,SOT-457 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS3005B02VH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):620mV @ 500mA 不同Vr时电流-反向泄漏:25uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):500mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS12504WH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):950mV @ 35mA 不同Vr时电流-反向泄漏:150nA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):25V 电流-平均整流(Io)(每二极管):100mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS12507WH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):950mV @ 35mA 不同Vr时电流-反向泄漏:150nA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 个独立式 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):25V 电流-平均整流(Io)(每二极管):100mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS21UE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:SC-74,SOT-457 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io)(每二极管):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS21E6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 不同 Vr、F时电容:5pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS5202VH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):600mV @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:10uA @ 45V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 10V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):45V 电流-平均整流(Io):750mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS3010B03WE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):550mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:20uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:40pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS1602VH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS116E6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:5nA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):1.5us 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS1603WE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS16SH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS3010A03WE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):470mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:200uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:35pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS2103WE6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 不同 Vr、F时电容:5pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS28E6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS16E6327HTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS5202VH6433XTMA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):600mV @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:10uA @ 45V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 10V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):45V 电流-平均整流(Io):750mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAR 88-098LRH E6327 |
|
不同 If、F时电阻:600 毫欧 @ 10mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.4pF @ 1V,1MHz 二极管类型:PIN - 2 个独立 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:4-XFDFN 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):80V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAS7006E6433HTMA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阳极 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BA779-HG3-08 |
|
不同 If、F时电阻:50 欧姆 @ 1.5mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.5pF @ 0V,100MHz 二极管类型:PIN - 单 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:125°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):30V 电流-最大值:50mA |
RF二极管 |
BAS4007WH6327XTSA1 |
|
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 40mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 30V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):40V 电流-平均整流(Io)(每二极管):120mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAT68E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:10 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 单 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):8V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT6804WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:10 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):8V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT6804E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:10 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:1pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):8V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT6302VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 Vr、F时电容:0.85pF @ 0.2V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 单 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):3V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAT17E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:0.75pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 单 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT1705WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:0.75pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT1704WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:15 欧姆 @ 5mA,10kHz 不同 Vr、F时电容:0.75pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 功率耗散(最大值):150mW 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:130mA |
RF二极管 |
BAT15099E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 2 个独立式 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:110mA |
RF二极管 |
BAT1504WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 1 对串联 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:110mA |
RF二极管 |
BAT1503WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 - 单 功率耗散(最大值):100mW 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):4V 电流-最大值:110mA |
RF二极管 |
BAS7006WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阳极 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS7005WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阴极 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS7004WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS7004SH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 对串联 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS7002VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:肖特基 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS7007WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 15mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 50V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):70V 电流-平均整流(Io)(每二极管):70mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS5202VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):600mV @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:10uA @ 45V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 10V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):45V 电流-平均整流(Io):750mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS4007WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 40mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 30V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):40V 电流-平均整流(Io)(每二极管):120mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS4006WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 40mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 30V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阳极 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):40V 电流-平均整流(Io)(每二极管):120mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS4005WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 40mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 30V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阴极 反向恢复时间(trr):100ps 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):40V 电流-平均整流(Io)(每二极管):120mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS3010B03WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):550mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:20uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:40pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS3010A03WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):470mV @ 1A 不同Vr时电流-反向泄漏:200uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:35pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:-65°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):1A 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS3005B02VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):620mV @ 500mA 不同Vr时电流-反向泄漏:25uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:10pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):500mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS3005A02VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):500mV @ 500mA 不同Vr时电流-反向泄漏:300uA @ 30V 不同 Vr、F时电容:15pF @ 5V,1MHz 二极管类型:肖特基 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:-55°C ~ 125°C 电压-DC反向(Vr)(最大值):30V 电流-平均整流(Io):500mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS28WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS28E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:2 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:TO-253-4,TO-253AA 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS21UE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:SC-74,SOT-457 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io)(每二极管):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS21E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 不同 Vr、F时电容:5pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS2103WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 200mA 不同Vr时电流-反向泄漏:100nA @ 200V 不同 Vr、F时电容:5pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):50ns 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):200V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS16WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS16UE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 二极管类型:标准 二极管配置:3 个独立式 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-74,SOT-457 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io)(每二极管):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS16E6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS1603WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):250mA(DC) 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
RF二极管 |
BAS1602VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):1.25V @ 150mA 不同Vr时电流-反向泄漏:1uA @ 75V 不同 Vr、F时电容:2pF @ 0V,1MHz 二极管类型:标准 反向恢复时间(trr):4ns 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):80V 电流-平均整流(Io):200mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS12507WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):950mV @ 35mA 不同Vr时电流-反向泄漏:150nA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:2 个独立式 封装/外壳:SC-82A,SOT-343 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):25V 电流-平均整流(Io)(每二极管):100mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS12505WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):950mV @ 35mA 不同Vr时电流-反向泄漏:150nA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对共阴极 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):25V 电流-平均整流(Io)(每二极管):100mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAS12504WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同If时电压-正向(Vf):950mV @ 35mA 不同Vr时电流-反向泄漏:150nA @ 25V 二极管类型:肖特基 二极管配置:1 对串联 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度-结:150°C(最大) 电压-DC反向(Vr)(最大值):25V 电流-平均整流(Io)(每二极管):100mA(DC) 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
RF二极管 |
BAR6405WH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 20V,1MHz 二极管类型:PIN - 1 对共阴极 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SC-70,SOT-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):150V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAR6402VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:1.35 欧姆 @ 100mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.35pF @ 20V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):150V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAR6303WE6327HTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:1 欧姆 @ 10mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.3pF @ 5V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SC-76,SOD-323 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):50V 电流-最大值:100mA |
RF二极管 |
BAR6302VH6327XTSA1 |
Infineon(英飞凌) |
不同 If、F时电阻:1 欧姆 @ 10mA,100MHz 不同 Vr、F时电容:0.3pF @ 5V,1MHz 二极管类型:PIN - 单 功率耗散(最大值):250mW 封装/外壳:SC-79,SOD-523 工作温度:150°C(TJ) 电压-峰值反向(最大值):50V 电流-最大值:100mA |