参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB055N03LGATMA1
说明	通用MOSFET   D²PAK(TO-263AB) PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31x9.45x4.57mm 10.31mm
起订量	1
最小包	1
现货	411 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	31nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	3200pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	68W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	D²PAK(TO-263AB)
封装/外壳	PG-TO263-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	50A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.0078 0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	68W
高度	4.57mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	75S
正向二极管电压	1.1V
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
宽度	9.45mm
系列	OptiMOS 3
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2400 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	6.7 ns
最高工作温度	+175 °C
长度	10.31mm
最低工作温度	-55 °C