参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB020N04NGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-7-3 PG-TO263-7 D2PAK(TO-263) 10.31x9.45x4.57mm 10.31mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	634 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	140A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 95µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	120nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	9700pF @ 20V
Pd-功率耗散(Max)	167W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-7-3
封装/外壳	PG-TO263-7
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	20V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	140 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	2 m0hms
栅极电压Vgs	4V
最小栅阈值电压	2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
晶体管配置	单
引脚数目	7
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	167W
最低工作温度	-55 °C
正向跨导	170S
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.2V
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
长度	10.31mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	7300 pF@ 20 V
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	27 ns
宽度	9.45mm
高度	4.57mm
最高工作温度	+175 °C
系列	OptiMOS 3