| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT晶体管 |
| 型号编码 | IGC10T65QE |
| 说明 | IGBT晶体管 WAFERSAWN |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 289 [库存更新时间：2024-05-10] |
| RoHS compliant | yes |
| 封装/外壳 | WAFER SAWN |
| Technology | IGBT HighSpeed 3 |
| VCE max | 650.0 V |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 工作温度 | -40.0°C 175.0°C |
| VGE(th) min max | 4.2 V 5.6 V |
| VCE(sat) max | 2.32 V |
| VCE max | 650.0V |
| VCE(sat) max | 2.32V |
| IC max | 20.0A |
| VGE(th) min max | 4.2V 5.6V |
| IC max | 20.0 A |
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