型号参数与资料
- 型号
- IGC136T170S8RH2
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- IGBT晶体管
| RoHS compliant | yes |
|---|---|
| 封装/外壳 | WAFER SAWN |
| Technology | IGBT3 High Power |
| VCE max | 1700.0 V |
| 漏源极电压Vds | 1700V |
| 工作温度 | -40.0°C 150.0°C |
| VGE(th) min max | 5.3 V 6.3 V |
| VCE(sat) max | 1.3 V |
| VCE max | 1700.0V |
| VCE(sat) max | 1.3V |
| IC max | 117.5A |
| VGE(th) min max | 5.3V 6.3V |
| IC max | 117.5 A |
IGBT晶体管 WAFERSAWN
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。