参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	HGT1S10N120BNST
说明	通用MOSFET   TO-263AB
品牌	Fairchild(仙童)
起订量	0
最小包	0
现货	196 [库存更新时间：2024-05-19]
IGBT类型	NPT
电压-集射极击穿（最大值）	1200V
电流-集电极（Ic）（最大值）	35A
脉冲电流-集电极(Icm)	80A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.7V @ 15V,10A
Pd-功率耗散(Max)	298W
开关能量	320µJ(开),800µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	23ns/165ns
测试条件	960V,10A,10 欧姆,15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263AB