| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | FGD4536TM |
| 说明 | 通用MOSFET TO-252,(D-Pak) |
| 品牌 | Fairchild(仙童) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 191 [库存更新时间:2026-01-31] |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 360V |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | 220A |
| 不同 Vge,Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,50A |
| Pd-功率耗散(Max) | 125W |
| 输入类型 | 标准 |
| 封装/外壳 | TO-252,(D-Pak) |

| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | FGD4536TM |
| 说明 | 通用MOSFET TO-252,(D-Pak) |
| 品牌 | Fairchild(仙童) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 191 [库存更新时间:2026-01-31] |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 360V |
| 脉冲电流-集电极(Icm) | 220A |
| 不同 Vge,Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,50A |
| Pd-功率耗散(Max) | 125W |
| 输入类型 | 标准 |
| 封装/外壳 | TO-252,(D-Pak) |