参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	FGA6560WDF
说明	通用MOSFET   TO-3PN
品牌	Fairchild(仙童)
现货	156 [库存更新时间：1970-01-01]
IGBT类型	沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极（Ic）（最大值）	120A
脉冲电流-集电极(Icm)	180A
不同 Vge，Ic时的 Vce（on）	2.3V @ 15V,60A
Pd-功率耗散(Max)	306W
开关能量	2.46mJ(开),520µJ(关)
输入类型	标准
25°C时Td（开/关）值	25.6ns/71ns
测试条件	400V,60A,6 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	110ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-3PN