| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | EM6M2T2R |
| 说明 | 小信号MOSFET EMT |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 103 [库存更新时间：2026-01-27] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω@200mA,4V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | EMT |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 0.2A |
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