型号参数与资料
- 型号
- EM6M2T2R
- 品牌
- ROHM(罗姆)
- 类别
- 小信号MOSFET
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1Ω@200mA,4V |
|---|---|
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 25pF @ 10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 150mW |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | EMT |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 0.2A |
小信号MOSFET EMT
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。