参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	EM6K6T2Rp
说明	小信号MOSFET   EMT 1.60mm
起订量	0
最小包	0
现货	395 [库存更新时间：2024-05-13]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 1mA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	25pF @ 10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	EMT
连续漏极电流Id	300mA
Pd-功率耗散(Max)	150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs	1Ω
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	300mV
上升时间	10ns
下降时间	10ns
典型关闭延迟时间	15ns
典型接通延迟时间	5ns
宽度	1.2mm
系列	EM6K6
通道数量	2Channel
配置	Dual
长度	1.60mm
高度	0.50mm