| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | DMT3011LDT-7 |
| 说明 | 功率MOSFET V-DFN3030-8 |
| 起订量 | 3 |
| 最小包 | 3 |
| 现货 | 457 [库存更新时间：2024-04-26] |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 8A,10.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.2nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 641pF @ 15V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.9W |
| 工作温度 | -55°C~155°C(TJ) |
| 封装/外壳 | V-DFN3030-8 |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsDMT3011LDT-7
产品概述
相关产品