| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | DMT10H015LSS-13 |
| 说明 | 功率MOSFET SO |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5238 [库存更新时间：2024-05-01] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 33.3nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1871pF @ 50V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 16mΩ@20A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 8.3A |
IC普拉斯 元器件现货
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