参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | DMT10H010LSS-13 |
说明 | 功率MOSFET 8-SOIC |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 2500 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5240 [库存更新时间:2024-05-02] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 71nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 3000pF @ 50V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@13A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SOIC |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 100V |
连续漏极电流Id | 11.5A |