参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN80H2D0SCTI
说明	功率MOSFET   TO-220-3
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	209 [库存更新时间：2025-04-04]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1253pF @ 25V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-220-3
连续漏极电流Id	7A
Pd-功率耗散(Max)	41W
Qg-栅极电荷	35.4nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.4Ω
漏源极电压Vds	800V
栅极电压Vgs	2V
上升时间	35.8ns
下降时间	42.6ns
典型关闭延迟时间	104ns
典型接通延迟时间	20.5ns
通道数量	1Channel
配置	Single