参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | DMN3900UFA-7B |
说明 | 通用MOSFET 3-XFDFN X2-DFN |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 185 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 550mA(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.7nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 42.2pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±8V |
Pd-功率耗散(Max) | 390mW(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 760m Ohms@200mA,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 3-XFDFN |
封装/外壳 | X2-DFN |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 0.65A |