参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMN26D0UFB4-7
说明	小信号MOSFET   X2-DFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6240 [库存更新时间：2025-04-02]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	14.1pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	X2-DFN
连续漏极电流Id	240mA
Pd-功率耗散(Max)	350mW
Rds On(Max)@Id,Vgs	3Ω
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	600mV
上升时间	7.9ns
下降时间	15.2ns
典型关闭延迟时间	13.4ns
典型接通延迟时间	3.8ns
正向跨导 - 最小值	180mS
系列	DMN26
通道数量	1Channel
配置	Single