| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | DMN2011UFDE-13 |
| 说明 | MOSFET U-DFN2020-6(E类) |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 474 [库存更新时间：2024-05-06] |
| FET类型 | N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 610mW(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 9.5mΩ@7A,4.5V |
| 栅极电压Vgs | ±12V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 3372 pF @ 10 V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 84 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | U-DFN2020-6(E 类) |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 11.7A(Ta) |
| 驱动电压 | 1.5V,4.5V |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsDMN2011UFDE-13
产品概述
相关产品