| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | DMN10H170SVT-13 |
| 说明 | MOSFET TSOT-23 |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 474 [库存更新时间：2025-04-05] |
| FET类型 | N-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.2W(Ta) |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 160mΩ@5A,10V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1167 pF @ 25 V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.7 nC @ 10 V |
| 封装/外壳 | TSOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 2.6A(Ta) |
| 驱动电压 | 4.5V,10V |
IC普拉斯 元器件现货
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productsDMN10H170SVT-13
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