| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | DMN10H099SK3-13 |
| 说明 | 功率MOSFET DPAK |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 2500 |
| 最小包 | 2500 |
| 现货 | 5340 [库存更新时间：2025-04-05] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.2nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1172pF @ 50V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 34W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@3.3A,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | DPAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 17A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsDMN10H099SK3-13
咨询热线：13172425630
产品概述
相关产品