参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN1032UCB4-7
说明	功率MOSFET   U-WLB
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	309 [库存更新时间：2025-04-08]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	450pF @ 6V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	U-WLB
连续漏极电流Id	4.8A
Pd-功率耗散(Max)	1.16W
Qg-栅极电荷	3.2nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	38mΩ
漏源极电压Vds	12V
栅极电压Vgs	800mV
上升时间	5.6ns
下降时间	9ns
典型关闭延迟时间	24ns
典型接通延迟时间	3.3ns
系列	DMN10
通道数量	1Channel
配置	Single