参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMG6602SVT-7
说明	小信号MOSFET   TSOT-23
起订量	3
最小包	3
现货	457 [库存更新时间：2025-04-08]
系列	DMG
典型接通延迟时间	3 ns
上升时间	5 ns
栅极电压Vgs	20V
通道数量	2 Channel
Qg-栅极电荷	9 nC
典型关闭延迟时间	13 ns
正向跨导-最小值	4 S
Rds On(Max)@Id,Vgs	60mΩ@3.1A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	400pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	840mW
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TSOT-23
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	3.4A,2.8A