参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | DMG4932LSD-13 |
说明 | 通用MOSFET 8-SO SO |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 2500 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5209 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | 2N-Channel |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 15m Ohms@9A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 42nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1932pF @ 15V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.19W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | 8-SO |
封装/外壳 | SO |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 9.5A |