参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | DMG4822SSD-13 |
说明 | 功率MOSFET SO-8 |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 209 [库存更新时间:2025-04-14] |
连续漏极电流Id | 10A |
Pd-功率耗散(Max) | 1.42W |
Qg-栅极电荷 | 10.5nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ |
漏源极电压Vds | 30V |
栅极电压Vgs | 25V |
上升时间 | 7.9ns |
下降时间 | 3.1ns |
典型关闭延迟时间 | 14.6ns |
典型接通延迟时间 | 2.9ns |
封装/外壳 | SO-8 |
正向跨导 - 最小值 | 200mS |
系列 | DMG4822 |
通道数量 | 2Channel |
配置 | Dual |
工作温度 | -55°C~150°C |
FET类型 | N-Channel |