参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | DMG4800LK3-13 |
说明 | 通用MOSFET TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 1 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5063 [库存更新时间:2025-04-02] |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 10A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.7nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 798pF @ 10V |
栅极电压Vgs | ±25V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.71W(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 17mΩ@9A,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-252-3,Dpak,SC-63 |
封装/外壳 | DPAK |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 10A |