| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | DMG4511SK4-13n: |
| 说明 | MOSFET TO-252-4L |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 393 [库存更新时间：2024-05-10] |
| FET类型 | N 和 P 沟道,共漏 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 35mΩ@8A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 850pF @ 25V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 18.7nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-4L |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 35V |
| 连续漏极电流Id | 5.3A,5A |
IC普拉斯 元器件现货