参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMG1029SV-7
说明	通用MOSFET   SOT-563,SOT-666 SOT-563
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	1
最小包	3000
现货	623766 [库存更新时间：2025-04-12]
FET类型	N+P-Channel
连续漏极电流Id	500mA,360mA
Rds On(Max)@Id,Vgs	1.7 Ohms@500mA,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	0.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	30pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	450mW
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOT-563,SOT-666
封装/外壳	SOT-563
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	0.36A