参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | DMC1229UFDB-7 |
说明 | 通用MOSFET U-DFN2030-6 UDFN |
品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 206 [库存更新时间:2025-04-11] |
FET类型 | N+P-Channel |
连续漏极电流Id | 5.6A,3.8A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 29mΩ@5A,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19.6nC @ 8V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 914pF @ 6V |
Pd-功率耗散(Max) | 1.4W |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | U-DFN2030-6 |
封装/外壳 | UDFN |
FET类型 | N+P-Channel |
漏源极电压Vds | 12V |
连续漏极电流Id | 5.6A/3.8A |