参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | BSZ060NE2LS |
说明 | 功率MOSFET 3.3mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 323 [库存更新时间:2025-04-03] |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 670pF @ 12V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
漏源极电压Vds | 25V |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 9.1nC @ 10V |
通道数量 | 1Channel |
连续漏极电流Id | 40A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ |
栅极电压Vgs | 20V |
Qg-栅极电荷 | 12nC |
配置 | Single |
Pd-功率耗散(Max) | 26W |
高度 | 1.10mm |
长度 | 3.3mm |
FET类型 | N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 34S |
下降时间 | 1.8ns |
上升时间 | 2.2ns |
典型关闭延迟时间 | 11ns |
典型接通延迟时间 | 2.5ns |