| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | BSZ036NE2LS |
| 说明 | 功率MOSFET 3.3mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 323 [库存更新时间:2026-01-19] |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1200pF @ 12V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 25V |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 16nC @ 10V |
| 通道数量 | 1Channel |
| 连续漏极电流Id | 40A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.6mΩ |
| 栅极电压Vgs | 10V |
| Qg-栅极电荷 | 16nC |
| 配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
| Pd-功率耗散(Max) | 37W |
| 高度 | 1.10mm |
| 长度 | 3.3mm |
| FET类型 | N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 44S |
| 下降时间 | 2.2ns |
| 上升时间 | 2.8ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15ns |
| 典型接通延迟时间 | 3.3ns |


