参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | BSZ019N03LS |
说明 | 功率MOSFET 3.3mm |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 5000 |
最小包 | 5000 |
现货 | 10286 [库存更新时间:2025-04-03] |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2800pF @ 15V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
漏源极电压Vds | 30V |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |
通道数量 | 1Channel |
连续漏极电流Id | 40A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.9mΩ |
栅极电压Vgs | 10V |
Qg-栅极电荷 | 44nC |
配置 | SingleQuadDrainTripleSource |
Pd-功率耗散(Max) | 69W |
高度 | 1.10mm |
长度 | 3.3mm |
FET类型 | N-Channel |
正向跨导 - 最小值 | 70S |
下降时间 | 4.6ns |
上升时间 | 6.8ns |
典型关闭延迟时间 | 28ns |
典型接通延迟时间 | 5.4ns |