参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSS87H6327XTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT89-4-2 PG-SOT89-4 SOT-89 4.5x2.5x1.5mm 4.50mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	240V
连续漏极电流Id	260mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	5.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	97pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	6 欧姆 @ 260mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT89-4-2
封装/外壳	PG-SOT89-4
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	260 mA
漏源极电压Vds	240V
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.5 0hms
栅极电压Vgs	1.8V
最小栅阈值电压	0.8V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-89
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	小信号
Pd-功率耗散(Max)	1W
高度	1.50mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	4.5 x 2.5 x 1.5mm
宽度	2.5mm
系列	SIPMOS
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	77.5 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	17.6 ns
典型接通延迟时间	3.7 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	4.50mm