参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	BSS670S2L
说明	小信号MOSFET   TO-236-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-23]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	540mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 2.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.26nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	75pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	650mΩ@270mA,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3