参数 | 值 |
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产品 | 小信号MOSFET |
型号编码 | BSS209PW |
说明 | 小信号MOSFET PG-SOT323-3 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6286 [库存更新时间:2025-04-19] |
FET类型 | P-Channel |
漏源极电压Vds | 20V |
连续漏极电流Id | 580mA(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 3.5µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.38nC @ 4.5V |
栅极电压Vgs | ±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 89.9pF @ 15V |
Pd-功率耗散(Max) | 520mW(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 550mΩ@580mA,4.5V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | PG-SOT323-3 |