参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | BSS139H6327XTSA1 |
说明 | 通用MOSFET SOT-23 PG-SOT23-3 |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 194 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | SIPMOS® |
连续漏极电流Id | 100mA(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 0V,10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 56µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.5nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 76pF @ 25V |
栅极电压Vgs | ±20V |
FET类型 | 耗尽模式 |
Pd-功率耗散(Max) | 360mW(Ta) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 14 Ohms@100µA,10V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-23 |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 0.1A |
漏源极电压Vds | 250V |
封装/外壳 | PG-SOT23-3 |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 5V |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |