参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSP613P
说明	功率MOSFET   PG-SOT223-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2286 [库存更新时间：2024-05-19]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	2.9A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	33nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	875pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	130mΩ@2.9A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223-4