参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSP179H6327XTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT223-4 PG-SOT223-4
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	400V
连续漏极电流Id	210mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	0V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6.8nC @ 5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	135pF @ 25V
FET类型	耗尽模式
Pd-功率耗散(Max)	1.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	18 欧姆 @ 210mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT223-4
封装/外壳	PG-SOT223-4